前言：众所周知，MOSFET为“电压驱动”型器件，以N-MOS为例，VGS电压与RDS(on)成反比。即驱动N-MOS时VGS尽可能最大。
首先讲清楚此电路的具体是用于控制T12烙铁，其中P+是接T12烙铁正极。
电荷泵组成器件分别是：D2、D3、C4，此三个器件构成的电荷泵可以使N沟道的MOS作为上管使用。
即是Q2导通，MOS关断时，电源通过D3、C4以及烙铁构成回路并在此时为C4充电至电源电压。在Q2关断时，MOS导通，由于MOS导通后电阻极小（T12烙铁≈8Ω），使得B点电压迅速抬升（接近电源电压），C4在此时发挥作用，由于C4负极在B点，C4电压满足MOS的VGS最小要求，向G极提供电流，MOS稳定导通。
解释：D3的作用使防止MOS导通时，C4通过MOS流回B点而放电。D2主要起到钳位作用保护MOS的G极（VGS最高耐压20V）。
其他：A、B电压约为18V，A对地电压约为 电源电压+18V。